2N5401 Transistör - PNP Yüksek Voltaj Sinyal Transistörü - TO-92

Ürün Açıklaması

.kral-block { background: #ffffff; border: 2px solid #f1f5f9; border-radius: 18px; padding: 30px; margin-bottom: 25px; transition: all 0.4s cubic-bezier(0.175, 0.885, 0.32, 1.275); position: relative; } .kral-block:hover { transform: translateY(-7px); box-shadow: 0 12px 25px rgba(59, 130, 246, 0.12); border-color: #3b82f6; } .kral-tag { display: inline-block; background: #f1f5f9; color: #64748b; padding: 6px 14px; border-radius: 25px; font-size: 13px; margin: 6px; font-weight: 600; transition: 0.3s; cursor: default; } .kral-tag:hover { background: #3b82f6; color: #ffffff; transform: scale(1.1); } .kral-footer-link { transition: all 0.3s ease !important; border: 1px solid #e2e8f0 !important; text-decoration: none !important; display: inline-block; margin: 5px; } .kral-footer-link:hover { background: #1e293b !important; color: #ffffff !important; transform: scale(1.05); } .faq-item { background: #f8fafc; padding: 20px; border-radius: 12px; margin-bottom: 15px; border-left: 5px solid #3b82f6; } .faq-q { color: #1e293b; font-weight: 800; display: block; margin-bottom: 8px; font-size: 15px; } .faq-a { color: #475569; font-size: 14.5px; margin: 0; }2N5401 PNP Yüksek Voltaj TransistörüHassas Yükseltme ve Kararlı Gerilim DayanımıYüksek gerilim seviyelerinde çalışan sinyal işleme ve anahtarlama katları için tasarlanan 2N5401 Transistör, PNP yapısında bir silikon epitaksiyel düzlemsel bileşendir. 150 Volt'luk kollektör-emitör gerilim dayanımı ($V_{CEO}$), bu ürünü standart düşük voltaj transistörlerinin güvenli çalışma sınırlarını aştığı video çıkış katları, yüksek voltajlı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol üniteleri için ideal hale getirir. Ecem Bilgisayar ürün portföyünde yer alan bu bileşen, kompakt TO-92 kılıf yapısı ile PCB üzerinde alan tasarrufu sağlarken, geniş bant genişliği ve düşük gürültü karakteristiği sayesinde analog sinyal yükseltme projelerinde kararlı bir performans sergiler. NPN eşleniği olan 2N5551 ile birlikte simetrik amplifikatör tasarımlarında tam...