G30H603 Igbt Transistör 600V 60A To-247

Ürün Açıklaması

IGW30N60H3 - (G30H603) TO-247 600V 60A IGBT TransistörIGW30N60H3, yüksek voltaj ve akım gereksinimlerini karşılamak için tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. Bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında, özellikle anahtarlamalı güç kaynaklarında ve motor kontrol devrelerinde yüksek verimlilik sağlar.Teknik Özellikler:Üretici:InfineonÜrün Kategorisi:IGBT TransistörlerRoHS: AyrıntılarPaket/Kutu:TO-247-3Montaj Stili: DeliktenYapılandırma: TekKollektör-Verici Doygunluk Gerilimi: 1,95 VMaksimum Kapı Verici Gerilimi: 20 V25 C'de Sürekli Kolektör Akımı: 60 APd - Güç Tüketimi: 187 WMinimum Çalışma Sıcaklığı: - 40 CMaksimum Çalışma Sıcaklığı: + 175 CSeri: Yüksek Hızlı 3Ambalaj: TüpMarka: Infineon TechnologiesAnahtar Avantajlar:Yüksek Verimlilik: Düşük anahtarlama kayıpları ile enerji verimliliğini artırır.Yüksek Güç Kapasitesi: 600V ve 60A kapasitesiyle yüksek akım ve voltaj gereksinimlerini destekler.Güvenilir Kasa Yapısı: TO-247 kasa yapısı, uzun ömürlü kullanım sağlar ve soğutmayı optimize eder.Uygulama Alanları:Anahtarlamalı güç kaynaklarıMotor sürücüleri ve kontrol devreleriFrekans dönüştürücülerYenilenebilir enerji sistemleriEndüstriyel otomasyon sistemleriPaket İçeriği:1 adet G30H603 Igbt Transistör 600V 60A To-247