IRF640NSTRLPBF-IR 18A 200V N Kanal Mosfet T0-263-3 (D2PAK-3)

Ürün Açıklaması

IRF640NSTRLPBF-IR 18A 200V N Kanal Mosfet T0-263-3 (D2PAK-3)Bu N-kanal MOSFET, yüksek akım ve voltaj dayanımıyla güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 200V maksimum çalışma gerilimi ve 18A sürekli akım kapasitesi ile yüksek verimli güç anahtarlama uygulamalarında idealdir. HEXFET teknolojisi, düşük direnç (R_DS(on)) ve yüksek anahtarlama hızları sunarak güç kayıplarını minimize eder. TO-263 (D2PAK) SMT paketi, yüzey montaj uygulamalarında kolay entegrasyon sağlar.Teknik ÖzelliklerTeknoloji:HEXFETFet Tipi:N-CHAkım (25°C):18AVoltaj:200VRds On:150m OhmMontaj Tipi:SMTÇalışma Sıcaklığı:-55°C~+175°CPaket / Kasa:TO263-3 (D2PAK-3)Yapılandırma:TekÜretici:IRGüç Dağılımı:150WTrr:251nsRohs:ROHSAnahtar Avantajlar200V yüksek voltaj dayanımı ile geniş kullanım alanı18A yüksek akım kapasitesi, güçlü yükler için idealHEXFET teknolojisi, düşük R_DS(on) ile güç kaybını azaltırYüksek anahtarlama hızı, verimli ve hızlı yanıt veren sistemler için uygundurSMD (Yüzey Montaj) TO-263 paketi, kompakt devre tasarımları için idealUygulama AlanlarıGüç kaynağı devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)Motor sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemleriDC-DC dönüştürücüler ve invertörlerAkü şarj devreleri ve enerji yönetimiLED sürücü devreleriPaket İçeriği1 Adet IRF640NSTRLPBF-IR 18A 200V N Kanal Mosfet T0-263-3 (D2PAK-3)